快閃記憶體及儲存設備大廠 Western Digital 於 22 日宣布，已在該公司的日本四日市工廠開始試產容量 512Gb、採用 TLC 技術的 64 層 3D NAND (BICS3) 的快閃記憶體晶片，並且預計於 2017 下半年開始進行量產。這款全球首創的快閃記憶體晶片，是 Western Digital 在快閃記憶體產業近 30 年以來，諸多創舉中的最新力作。
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WD 宣布推出業界首款 512Gb，64 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體 |
作者
Atkinson |
發布日期
2017 年 02 月 22 日 12:30 |
分類
3C
, 晶片
, 會員專區
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快閃記憶體及儲存設備大廠 Western Digital 於 22 日宣布，已在該公司的日本四日市工廠開始試產容量 512Gb、採用 TLC 技術的 64 層 3D NAND (BICS3) 的快閃記憶體晶片，並且預計於 2017 下半年開始進行量產。這款全球首創的快閃記憶體晶片，是 Western Digital 在快閃記憶體產業近 30 年以來，諸多創舉中的最新力作。
